2052《电路与系统设计》
考试内容：
1．信号与系统的定义及其分类。包括：信号的定义及其分类；信号的运算；系统的定义及其分类；线性时不变系统的定义、特征及分析方法。
2．连续时间线性时不变系统的分析。包括：零输入响应与零状态响应；冲激响应与阶跃响应；卷积的定义、性质与计算；傅里叶级数与傅里叶变换；采样定理；拉普拉斯变换；系统的s域分析（极点与零点、稳定性分析、时域响应与频域响应之间的关系）；
3．离散时间线性时不变系统的分析。包括：离散时间信号的分类与运算；离散时间系统的数学模型及求解；离散卷积的定义、性质与运算；差分方程；离散傅里叶变换；z变换；系统的z域分析（极点与零点、稳定性分析、时域响应与频域响应之间的关系）。
4．射频电路的分析。包括：电路元器件的射频模型（寄生效应）；电子噪声及其模型；传输线的模型；分布参数电路的分析方法（S-parameter、Smith Chart、阻抗匹配等）；谐振功率放大器；正弦波振荡器；调制与解调器；混频器等。
参考书目：
《电路分析基础》（第二版），范世贵编著，西北工业大学出版社，2006年3月。
《信号与系统》（第三版），郑君里，应启珩，杨为理编著，高等教育出版社，2011年3月。
《射频电路基础（第二版）》，赵建勋， 邓军编著，西安电子科技大学出版社，2018年9月。
《电子科学与技术专业综合》
考试内容（以下三门课中任选一门，每门课的满分是100分）：
1）微纳电子技术基础；2）混合信号集成电路设计；3）智能集成微系统。
微纳电子技术基础
半导体中的电子状态和能带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识、基本概念及相关理论；CMOS器件的基本结构、工作原理、频率特性、击穿特性以及非理想效应；CMOS器件按比例缩小理论及其短沟道效应；CMOS器件特性的基本分析方法。CMOS集成电路的制造工艺及其流程；集成电路制造装备及材料；CMOS集成电路的制造质量管理与良品率提升技术；集成电路的封装技术等。
参考书目：
《半导体物理学》（第七版），刘恩科等著，电子工业出版社，2011年3月。
《半导体器件物理》（第二版），孟庆臣等著，科学出版社，2005年3月。
混合信号集成电路设计
模拟集成电路设计：BJT以及CMOS集成电路的元器件及其模型；基本模拟集成电路的工作原理和设计方法，包括：单级放大器、运算放大器、比较器、基准电压和基准电流产生电路、时钟信号产生电路、ADC与DAC电路；深亚微米CMOS集成电路的设计考虑；混合电压工艺/数模混合信号CMOS集成电路的设计考虑等。
数字集成电路设计：基本逻辑单元电路的工作原理和设计方法；半定制数字集成电路的Top-down设计流程；基于行为级特性的数字集成电路设计；数字集成电路设计中时钟域、信号完整性等问题；数字集成电路的可测性设计；数据通路和控制通路的设计考虑；电路和版图仿真验证技术；基于纳米工艺的数字集成电路设计考虑；SoC芯片设计等。
参考书目：
《模拟CMOS集成电路设计》，魏廷存，陈莹梅，胡正飞编著，清华大学出版社，2010年3月。
《模拟CMOS集成电路设计》，[美]毕查德·拉扎维 著，陈贵灿 等译，西安交通大学出版社，2002年。
《Verilog HDL硬件描述语言》，[美] 贝斯克著， 徐振林等译， 机械工业出版社，2000年。
《Verilog硬件描述语言Verilog》，[美] Donald E.Thomas & Philip R.Moorby著，刘明业等译， 清华大学出版社，2001年。
智能集成微系统
数字信号处理：时域和频域信号特征分析与表征；快速傅里叶变换；数字滤波器的设计与实现；自动控制理论与算法等。嵌入式CPU系统设计：典型嵌入式微处理器（基于ARM或RISC-Ⅴ核的单片机）的体系结构与指令系统；基于单片机、DSP、FPGA的数字系统设计实现；具有人工智能特征的嵌入式CPU体系结构；人工智能算法等。
参考书目：
《现代数字信号处理》，杨绿溪编著，科学出版社，2008年12月。
《单片机原理接口与应用》，黄遵熹主编，西北工业大学出版社，1997年。
《嵌入式系统设计》，程克非主编，机械工业出版社，2010年。
2053《光电子技术》
考试内容：
1.光电磁波的基本理论。电磁波谱与光辐射，热辐射基本定律，光波场的时域频率特性，相速度和群速度，光波的横波性质和偏振态。
2.光辐射的传播。光波在大气、水、电光晶体、声光晶体、磁光介质、光纤波导中的传播，光在平板介质波导中的传输特性。
3.半导体中光子-电子的相互作用。半导体中量子跃迁的特点，直接带隙与间接带隙跃迁，光子密度分布与能量分布，电子态密度与占据几率，跃迁速率与爱因斯坦关系，半导体中的载流子复合，增益系数与电流密度的关系。
4.异质结及其光电器件应用。异质结及其能带图，异质结在半导体光电子学器件中的作用，异质结中的晶格匹配，对注入激光器异质结材料的要求，异质结对载流子的限制。
5.半导体激光器。光子在谐振腔内的振荡，条形半导体激光器及其增益光波导，垂直腔表面发射激光器（VCSEL），分布反馈激光器（DFB），半导体激光器的效率、阈值特性、远场特性、模式特性、瞬态特性、退化和失效。
6.光吸收与光电探测器。半导体中的光吸收，半导体光电探测器的材料、性能参数及相关物理效应，PIN光电二极管，雪崩光电二极管（APD），光电导探测器，太阳能电池，量子阱光探测器。
7.成像与显示技术。固体摄像器件，液晶显示，等离子体显示，电致发光显示及其他显示技术。
参考书目：
黄德修，黄黎蓉，洪伟，《半导体光电子学（第3版）》，电子工业出版社，2018年6月第三版。
安毓英，刘继芳，李庆辉，冯喆珺，《光电子技术（第4版）》，电子工业出版社，2016年5月第四版。
阎吉祥，《光电子学（修订版）》，清华大学出版社，2017年10月第二版。
